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电子元器件详细资料 » IC[28838] » NSBC123EDXV6T1
型号:NSBC123EDXV6T1类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:SOT-563,SOT-666描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧2222.2k
电阻器_发射极(R2)111欧2222.2k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)8 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 5mA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市三得电子有限公司销售部13509684848
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市欧和宁电子有限公司李小姐 0755-29275935
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD刘先生13910052844(微信同步)
深圳市潮南大宇电子有限公司 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877
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北京显周科技有限公司刘先生13910052844(微信同步)
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NSBC123EDXV6T1相关型号

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